Transistor MOSFET / Canal P / 50 V / 18 A / 0.14 Ω / 74 W / TO-220AB
Modelo: IRF9Z30
Descripción
Transistor MOSFET / Canal P / 50 V / 18 A / 0.14 Ω / 74 W / TO-220AB, de SYSCOM, modelo IRF9Z30, disponible en Vertia dentro de misceláneo. Destaca por montaje through-hole en PCB estándar. Envío a la Isla, pago 100% seguro en pesos o dólares y seguimiento de tu pedido por WhatsApp.
Transistor de potencia MOSFET de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación y control en equipos de análisis electrónico. Este dispositivo ofrece una resistencia de encendido ultrabaja de 0.14 Ω que minimiza las pérdidas por conducción, permitiendo operación eficiente con corrientes elevadas hasta 18 A. Su encapsulado TO-220AB facilita la integración en diseños de PCB through-hole con disipación térmica directa, resultando ideal para entornos de laboratorio y equipos de prueba como analizadores de circuitos.
Características principales
- MOSFET canal P con tecnología de óxido metálico
- Voltaje drenaje-fuente (VDSS): 50 V
- Corriente continua de drenaje: 18 A @ 25°C
- Resistencia RDS(on) máxima: 140 mΩ @ 9.3 A, 10 V
- Disipación de potencia máxima: 74 W
- Capacitancia de entrada (Ciss): 900 pF @ 25 V
- Carga de compuerta (Qg): 39 nC @ 10 V
- Voltaje umbral VGS(th): 4 V máx. @ 250 µA
- Voltaje compuerta-fuente máximo: ±20 V
- Rango de temperatura de unión: -55°C ~ 150°C
- Montaje: Through hole, encapsulado TO-220AB
Especificaciones técnicas
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